文章摘要
张庆瑜,都健,潘石,等.Ge2Sb2Te5薄膜相变行为及其对光存储特性影响[J].,2007,(6):781-785
Ge2Sb2Te5薄膜相变行为及其对光存储特性影响
Phase transition behavior of Ge2Sb2Te5films and its effect on optical properties
  
DOI：10.7511/dllgxb200706001
中文关键词: Ge2Sb2Te5薄膜  射频磁控溅射  相变  光学特性  激光辐照
英文关键词: Ge2Sb2Te5 film  radio-frequency reactive magnetron sputtering  phase transition  optical properties  laser radiation
基金项目:科技部重大基础研究前期研究专项资助项目(2004CCA03700).
作者单位
张庆瑜,都健,潘石,等  
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中文摘要:
      采用射频磁控溅射方法，在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜. X射线衍射分析表明：室温沉积的薄膜为非晶态；170 ℃真空退火后，薄膜转变为晶粒尺度约为17 nm的面心立方结构；250 ℃退火导致晶粒尺度约为40 nm的密排六方相出现. 研究了室温至450 ℃下薄膜相变的热力学性能. 差热分析显示：薄膜的非晶相向fcc相转变的相变活化能为(2.03±0.15) eV；fcc相向hex相转变的相变活化能为(1.58±0.24) eV. 薄膜反射率测量表明：面心相与非晶相的反射率对比度随着波长
英文摘要:
      Using a radio-frequency reactive magnetron sputtering method, Ge2Sb2Te5 films were grown on quartz substrates at room temperature. X-ray diffraction analysis revealed the as-deposited films to be amorphous. The films have a face-center-cubic (fcc) stru
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